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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Compara
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Puntuación global
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
50
54
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
1,308.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
50
Velocidad de lectura, GB/s
3,573.5
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,308.1
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
371
2512
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
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