RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
51
En -70% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
30
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
3728
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Kingston 9905458-009.A00LF 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link