RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
72
Rund um -118% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.6
4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
1,938.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
72
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
9.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,938.7
8.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
677
2286
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB RAM-Vergleiche
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link