RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB против Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
72
Около -118% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.6
4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.6
1,938.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
72
33
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
9.6
Скорость записи, Гб/сек
1,938.7
8.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
677
2286
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Сравнения RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link