RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB против Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
72
Около -118% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.6
4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.6
1,938.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
72
33
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
9.6
Скорость записи, Гб/сек
1,938.7
8.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
677
2286
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Сравнения RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link