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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
72
左右 -118% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.6
4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.6
1,938.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
72
33
读取速度,GB/s
4,241.0
9.6
写入速度,GB/s
1,938.7
8.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
677
2286
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
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