RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,256.8
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
64
Rund um -73% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
64
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,651.3
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,256.8
11.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
837
2824
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link