RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
64
Wokół strony -73% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
37
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2824
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link