RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
64
Rund um -106% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
2,256.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
64
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,651.3
12.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,256.8
9.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
837
2361
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link