RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Comparar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
12.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
64
Por volta de -106% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.4
2,256.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
64
31
Velocidade de leitura, GB/s
4,651.3
12.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,256.8
9.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
837
2361
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparações de RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
INTENSO M418039 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Kingston 99U5471-002.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link