RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
64
Wokół strony -106% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
2,256.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2361
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link