RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
42
Rund um -75% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
6.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.0
8.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1396
2462
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB
KingSpec KingSpec 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link