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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Diferencias
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Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
42
En -75% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
6.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
24
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
6.0
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1396
2462
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
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