RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
42
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
24
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2462
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link