RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
42
Rund um -24% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.3
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
6.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
20.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.0
13.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1396
3343
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link