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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB vs Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
12800
10600
Rund um 1.21% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
45
Rund um -73% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.5
13
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
45
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.0
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
10600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2079
1932
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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