RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
53
Rund um 21% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
53
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
10.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
8.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2150
2319
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link