RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
42
Rund um -62% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.6
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.2
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
18.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
16.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2150
3756
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB RAM-Vergleiche
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link