RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gesamtnote
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
71
Rund um -78% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
1,322.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
71
40
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,831.6
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,322.6
12.7
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
399
2772
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Kingston 99U5471-034.A00LF 4GB
Kingston 99U5403-159.A01LF 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link