RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
71
Wokół strony -78% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
40
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2772
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link