RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gesamtnote
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
17.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
71
Rund um -137% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.4
1,322.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
71
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,831.6
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,322.6
14.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
399
3555
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Nanya Technology NT256T64UH4A1FN-3C 256MB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link