RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Comparar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Pontuação geral
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
17.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
71
Por volta de -137% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.4
1,322.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
71
30
Velocidade de leitura, GB/s
2,831.6
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,322.6
14.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
399
3555
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link