RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
17
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
71
Rund um -145% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
1,322.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
71
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,831.6
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,322.6
12.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
399
3140
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link