RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
71
Около -145% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.6
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
29
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
17.0
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
3140
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link