Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Kingston 9905599-029.A00G 4GB

-->

Средняя оценка

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Средняя оценка

Kingston 9905599-029.A00G 4GB

Kingston 9905599-029.A00G 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

17.8 16.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.5 11.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 17000

Около 1.51% выше полоса пропускания

Kingston 9905599-029.A00G 4GB

Причины выбрать
Kingston 9905599-029.A00G 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 33

Около -32% меньшая задержка

Спецификации

Полный список технических характеристик

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Kingston 9905599-029.A00G 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

33 25
Скорость чтения, Гб/сек

17.8 16.2
Скорость записи, Гб/сек

12.5 11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

25600 17000

Other

Описание

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

3285 2494

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB

Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB

G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Kingston 9965639-002.A01G 8GB

Kingston 9965639-002.A01G 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C

Kingston 9905702-006.A00G 8GB

Kingston 9905702-006.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Kingston 9905702-017.A00G 8GB

Kingston 9905702-017.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB

модули RAM

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB

модули RAM

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB

Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB

V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB

модули RAM