RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
16.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
71
Rund um -115% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
1,322.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
71
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,831.6
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,322.6
11.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
399
2947
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link