RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gesamtnote
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
17.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
71
Rund um -87% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.4
1,322.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
71
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,831.6
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,322.6
10.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
399
3030
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link