RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
71
Wokół strony -87% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
38
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3030
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link