RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
71
Wokół strony -87% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
38
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3030
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link