RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gesamtnote
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
17
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
71
Rund um -163% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.3
1,322.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
71
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,831.6
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,322.6
13.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
399
3296
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Jinyu 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link