RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
17.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
71
Rund um -145% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.1
1,322.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
71
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,831.6
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,322.6
14.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
399
3434
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link