RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
71
Wokół strony -145% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3434
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Mushkin 991586 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KW6 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link