RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Vergleichen Sie
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gesamtnote
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
10.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
35
Rund um -9% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
10.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
8.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2312
2349
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CML4GX3M2A1600C9 2GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link