RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Confronto
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.7
10.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.6
8.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
35
Intorno -9% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
32
Velocità di lettura, GB/s
13.7
10.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2312
2349
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link