RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
10.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
8.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
35
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
10.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2312
2349
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD21G800816 1GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link