RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Vergleichen Sie
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,109.3
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
60
Rund um -107% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,162.7
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,109.3
11.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
784
2711
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G80026 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link