RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Vergleichen Sie
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Gesamtnote
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
39
Rund um -26% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.2
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
11.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
10.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2322
2585
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB RAM-Vergleiche
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link