RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Gesamtnote
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
17
63
Rund um -271% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.2
6.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.2
5.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
17
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.1
21.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.0
17.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1274
3714
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB RAM-Vergleiche
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link