RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Porównaj
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
63
Wokół strony -271% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.2
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
5.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
17
Prędkość odczytu, GB/s
6.1
21.2
Prędkość zapisu, GB/s
5.0
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1274
3714
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link