RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
51
Rund um 49% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
51
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
11.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2270
2687
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link