RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Gesamtnote
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
28
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.1
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.3
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
17.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
15.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2270
3480
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link