RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Compara
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Puntuación global
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
28
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.1
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
28
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2270
3480
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Informar de un error
×
Bug description
Source link