RAM-Vergleich PNY Electronics PNY 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB

Gesamtnote

PNY Electronics PNY 2GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

27 28

Rund um 4% geringere Latenzzeit

Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

18.1 13.8

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

15.6 8.4

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

21300 10600

Rund um 2.01 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

PNY Electronics PNY 2GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2274 3693

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns