RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.1
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
18.1
Скорость записи, Гб/сек
8.4
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
3693
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link