PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB

Gesamtnote
star star star star star
PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Gesamtnote
star star star star star
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB

Unterschiede

PNY Electronics PNY 2GB Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
Einen Fehler melden
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    27 left arrow 70
    Rund um 61% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    16.1 left arrow 13.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 10600
    Rund um 2.01 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    27 left arrow 70
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.8 left arrow 16.1
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.4 left arrow 8.4
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2274 left arrow 1838
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche