RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
70
Около 61% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
13.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
70
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
16.1
Скорость записи, Гб/сек
8.4
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
1838
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston 99U5474-036.A00LF 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link