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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
38
Rund um 29% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.0
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
15.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
2961
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
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