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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
38
左右 29% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.6
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
38
读取速度,GB/s
13.8
16.6
写入速度,GB/s
8.4
15.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2961
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
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