RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
38
Около 29% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
38
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
16.6
Скорость записи, Гб/сек
8.4
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2961
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link