RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
31
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.4
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
11.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
2330
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link