RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
31
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.9
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.4
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
14.9
Скорость записи, Гб/сек
8.4
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2330
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link