RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
29
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.5
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.6
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
18.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
15.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
3722
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link